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6月7日消息, 越南遭逢热浪侵袭,用电激增,电力系统难以负荷,境内北部工业区被迫分区停电,由于富士康、三星、立讯精密等大厂均在越南北部工业区设有工厂,当地供电受阻,牵动相关指标大厂生产。 令工业企业最不满的是,越南的停电并不总是按照日程表进行。越南欧洲商会在周一表示,已经致信越南商务部,要求尽快解决“频繁且毫无征兆的停电”。该商会的副主席Jean-JacquesBouflet表示,越南需要尽快找到应对措施,并在该国作为可靠全球制造业枢纽的声誉受到损害之前采取紧急措施。越南国营媒体引述越南电力集
标题:三星CL05A225MQ5NNNC贴片陶瓷电容CAP CER应用介绍 随着电子技术的快速发展,贴片陶瓷电容CAP CER在各类电子产品中发挥着越来越重要的作用。三星CL05A225MQ5NNNC这款型号的贴片陶瓷电容,以其独特的性能和优势,广泛应用于各种电子设备中。本文将围绕这款电容的技术和方案应用进行介绍。 一、技术特点 三星CL05A225MQ5NNNC贴片陶瓷电容采用先进的陶瓷材料和电极材料,具有高介电常数、低漏电流、耐高温、耐腐蚀等特点。其内部结构紧凑,体积小,能够适应各种狭小空
随着科技的飞速发展,电子设备的功能越来越强大,对内存的需求也日益增长。三星K4ABG165WA-MCWE BGA封装DDR储存芯片作为一种重要的内存器件,在各类电子产品中发挥着不可或缺的作用。本文将对该芯片的技术和方案应用进行详细介绍。 一、技术特点 三星K4ABG165WA-MCWE BGA封装DDR储存芯片采用了先进的BGA封装技术。这种技术通过将芯片固定在微型球形焊点的基板上,实现了高密度、高集成度的内存模块。该芯片具有以下特点: 1. 高速度:该芯片支持双通道DDR3内存接口,数据传输
随着科技的飞速发展,内存芯片市场也在不断壮大。三星K4ABG165WA-MCTD是一款采用BGA封装技术的DDR储存芯片,其在性能、功耗、可靠性等方面具有显著优势,广泛应用于各类电子产品中。本文将介绍三星K4ABG165WA-MCTD BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用。 一、技术特点 三星K4ABG165WA-MCTD采用BGA封装技术,具有以下特点: 1. 高密度:BGA封装方式能够实现更高的芯片集成度,减小了封装体积,提高了空间利用率。 2. 高速传输:BGA芯片内部引脚数量增加,
标题:三星CL05A474KQ5NNNC贴片陶瓷电容CAP CER应用介绍 随着电子技术的不断发展,贴片陶瓷电容在各类电子产品中得到了广泛应用。三星CL05A474KQ5NNNC贴片陶瓷电容作为一种重要的电子元件,具有许多独特的技术和方案应用。 首先,三星CL05A474KQ5NNNC贴片陶瓷电容CAP CER采用了先进的陶瓷材料和高精度烧结技术,具有高稳定性、高绝缘性和高耐压性等优点。其容量为0.47UF,电压为6.3V,温度系数和频率特性也得到了优化。这些特性使得它在各种电路中都能够发挥出
随着科技的飞速发展,内存芯片在电子设备中的应用越来越广泛。三星K4ABG085WA-MCWE这种采用BGA封装的DDR储存芯片,凭借其高容量、高速度和低功耗等特点,已成为电子设备中不可或缺的一部分。 首先,我们来了解一下三星K4ABG085WA-MCWE的基本技术特性。该芯片采用BGA封装技术,这是一种将内存芯片集成到小型、高密度的特定形状封装中。这种技术大大提高了内存芯片的可靠性和耐用性,同时也降低了生产成本。此外,该芯片采用DDR内存技术,这是一种高速内存技术,能够提供极快的数据传输速度,
随着科技的飞速发展,电子产品已逐渐融入人们的生活中,其中内存芯片作为电子设备的重要组成部分,其性能和可靠性对整个系统的运行起着至关重要的作用。本文将详细介绍三星K4AAG165WC-BCWE BGA封装DDR储存芯片的技术特点和方案应用。 一、技术特点 三星K4AAG165WC-BCWE是一款采用BGA封装的DDR储存芯片。BGA(Ball Grid Array)是一种表面贴装技术,其将IC裸晶以焊球的形式阵列在背面,通过焊球的连接进行焊接。相较于传统的DIP和SOP封装,BGA封装具有更高的
标题:三星CL10C102JB8NNNC贴片陶瓷电容的应用介绍 一、背景概述 三星CL10C102JB8NNNC是一款优质的贴片陶瓷电容,容量为1000PF,工作电压为50V,耐压等级高,适用于各种电子设备。其核心材料为陶瓷,具有高稳定性、高精度、高绝缘性等优点,广泛应用于各类电子设备中。 二、技术特点 该电容采用C0G/NP0两种封装形式,具有高可靠性、耐高温、耐高压、高频率等特性。同时,其体积小、容量大、重量轻等优点使其在各类设备中具有广泛的应用前景。此外,其独特的陶瓷材料和电极材料使其具
7月13日消息,近日,Hi Investment Securities研究员朴相佑的一份报告显示,三星电子近期已成功提高其4nm晶圆工艺的成品率,并提高了高通和英伟达再次合作的可能性。 三星电子的4nm工艺良率目前已经超过75%,这引发了人们对于三星将扩大半导体代工客户群体的猜测。然而,在此之前,三星电子代工厂曾经历过产品上市延迟以及10nm以下工艺良率提升缓慢的情况,导致主要客户纷纷转向台积电。 结果,在去年的资本支出和产能方面,台积电分别为三星电子代工业务的3.4倍和3.3倍,这使得两公司
7月14日消息,据BusinessKorea近日报道,三星电子的半导体代工部门预计其二季度(4-6月)销售额为4.437万亿韩元(当前约247.14亿元人民币),运营亏损为7100亿韩元(当前约39.55亿元人民币)。这一数字显示,该部门的营收同比下滑35.6%,利润也由盈转亏。 与此同时,该部门一季度已经亏损达2990亿韩元(当前约16.65亿元人民币),这意味着今年上半年该部门已累计亏损超过1万亿韩元(当前约55.7亿元人民币)。 对于这一趋势,分析人士指出,三星半导体代工业务的下滑主要受